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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：半导体处理的范例方法可包括执行电镀操作在电镀系统的容器中的电镀浴中的半导体基板上。所述方法可包括从所述电镀浴移除所述半导体基板。所述方法可包括关闭与来自所述电镀系统的第一排放道相关的阀。所述方法可包括增加流至来自所述电镀系统的第二排放道的流动。所述第二排放道可与来自所述电镀系统的所述容器的排放通道相关。
主权项：1.一种半导体处理的方法，所述方法包括：执行电镀操作在电镀系统的容器中的电镀浴中的半导体基板上；从所述电镀浴移除所述半导体基板；关闭与来自所述电镀系统的第一排放道相关的阀；和增加流至来自所述电镀系统的第二排放道的流动，其中所述第二排放道与来自所述电镀系统的所述容器的排放通道相关。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于电镀系统中的气泡消除的涌流
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