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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：本发明公开了一种二维快离子导体FePS3光电阴极的制备方法及其应用，包括以下步骤：1在硅片表面形成PN型硅纳米阵列；2对步骤1所得硅片进行预处理，再在硅片表面预定区域内均匀涂抹导电银漆，然后进行干燥，再将催化剂FePS3溶液旋涂于涂覆有导电银漆的硅片上，再进行干燥，得到二维快离子导体FePS3光电阴极，该方法及其应用制备得到的光电阴极具有高活性及高法拉效率，能够应用于光电催化合成氨体系中。
主权项：1.一种二维快离子导体FePS3光电阴极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1在硅片表面形成PN型硅纳米阵列；2对步骤1所得硅片进行预处理，再在硅片表面预定区域内均匀涂抹导电银漆，然后进行干燥，再将催化剂FePS3溶液旋涂于涂覆有导电银漆的硅片上，再进行干燥，得到二维快离子导体FePS3光电阴极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种二维快离子导体FePS3光电阴极的制备方法及其应用
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