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申请/专利权人：闽南师范大学
摘要：本发明提供一种基于PtSe2的PIN光电探测器，其特征在于：其结构包括下部掺砷的N‑Si片，中部I‑Si本征层，上部化学气相沉积法制备的P‑PtSe2二维材料层，I‑Si本征层与P‑PtSe2二维材料层之间为SiO2绝缘层，N‑Si片背面具有电极，P‑PtSe2二维材料层顶面具有顶部电极。本发明提高光电探测器的光电转换效率，使之更高的响应度。
主权项：1.一种基于PtSe2的PIN光电探测器，其特征在于：其结构包括下部掺砷的N-Si片2，中部I-Si本征层3，上部化学气相沉积法制备的P-PtSe2二维材料层5，I-Si本征层3与P-PtSe2二维材料层5之间为SiO2绝缘层4，N-Si片2背面具有电极1，P-PtSe2二维材料层5顶面具有顶部电极6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闽南师范大学 一种基于PtSe2的PIN光电探测器及制备流程
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