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申请/专利权人：IMEC 非营利协会
摘要：本公开涉及一种用于形成堆叠式晶体管器件的方法，该堆叠式晶体管器件包括下部NSHFET结构和上部FinFET结构，该方法包括：形成鳍结构，该鳍结构包括：包含若干下部沟道纳米片的下部器件子堆叠、中间绝缘层、包含上部沟道层的上部器件子堆叠、以及封盖层；形成其中嵌入鳍结构的加工层；在形成加工层之后，从鳍结构去除封盖层，以限定暴露上部器件子堆叠的间隙；在间隙的相对侧表面上形成间隔物层，以形成经降低宽度的间隙；通过经由经降低宽度的间隙来回蚀上部沟道层的上表面以拆分上部沟道层，以形成两个上部沟道鳍；在形成上部沟道鳍之后，去除间隔物层；以及此后：形成栅极结构；以及形成下部沟道纳米片和上部沟道鳍的源极区和漏极区。
主权项：1.一种用于形成包括下部纳米片场效应晶体管结构和上部鳍式场效应晶体管结构的堆叠式晶体管器件的方法，所述方法包括：在基板上形成鳍结构，所述鳍结构包括：包括若干下部沟道纳米片的下部器件子堆叠，在所述下部器件子堆叠上的中间绝缘层，在所述中间绝缘层上的、包括上部沟道层的上部器件子堆叠，以及在所述上部器件子堆叠上的封盖层；形成其中嵌入所述鳍结构的加工层；在形成所述加工层之后，从所述鳍结构去除所述封盖层，以限定暴露所述上部器件子堆叠的上表面的间隙；在所述间隙的相对侧表面上形成间隔物层，以在所述间隔物层之间形成经降低宽度的间隙，所述经降低宽度的间隙暴露所述上表面的中心部分；在形成所述间隔物层之后，将所述加工层回蚀至低于所述下部器件子堆叠的水平；通过经由所述经降低宽度的间隙来回蚀所述上表面以拆分所述上部沟道层，以在所述中间绝缘层上形成两个上部沟道鳍；在形成所述上部沟道鳍之后，去除所述间隔物层；以及此后：形成跨所述鳍结构的沟道区的栅极结构，所述栅极结构包括包围所述下部沟道纳米片的下部栅极结构部分和包围所述上部沟道鳍的上部栅极结构部分；以及在所述沟道区的两侧处形成所述下部沟道纳米片和所述上部沟道鳍的源极区和漏极区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： IMEC 非营利协会 用于形成堆叠式晶体管器件的方法
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