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申请/专利权人:江苏帝奥微电子股份有限公司
摘要:本发明公开了一种无需启动电路的高PSRR基准电流产生电路及方法,包含电流源电阻、N型低压MOS管、N型高压MOS管、栅源电阻和限压齐纳二极管,电流源电阻的一端连接电源VDD,电流源电阻的另一端与N型低压MOS管的漏极、N型高压MOS管的栅极和限压齐纳二极管的阴极连接,N型低压MOS管的源极接地,N型低压MOS管的栅极与N型高压MOS管的源极和栅源电阻的一端连接,栅源电阻的另一端接地,N型高压MOS管的漏极作为基准电流输出端,流经电流源电阻的电流为参考电流,限压齐纳二极管的阳极接地。本发明电路结构简单,可以在不增加额外启动电路的基础上实现自启动,同时实现高的电源抑制比。
主权项:1.一种无需启动电路的高PSRR基准电流产生电路,其特征在于:包含电流源电阻、N型低压MOS管、N型高压MOS管、栅源电阻和限压齐纳二极管,电流源电阻的一端连接电源VDD,电流源电阻的另一端与N型低压MOS管的漏极、N型高压MOS管的栅极和限压齐纳二极管的阴极连接,N型低压MOS管的源极接地,N型低压MOS管的栅极与N型高压MOS管的源极和栅源电阻的一端连接,栅源电阻的另一端接地,N型高压MOS管的漏极作为基准电流输出端,流经电流源电阻的电流为参考电流,限压齐纳二极管的阳极接地。
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