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申请/专利权人：深圳市飞宇信电子有限公司
申请日：2022-08-17
公开（公告）日：2023-09-12
公开（公告）号：CN115313035B
专利技术分类：..在绝缘支架上由导电层构成的[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种基于SIW的滤波天线，包括自上而下依次叠层设置的第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层；所述第一介质层上设有第一馈电单元以及辐射单元，所述第二介质层上设有滤波单元，所述第一金属层上设有用于所述第一馈电单元与所述滤波单元，所述滤波单元与所述辐射单元两两耦合的第一耦合孔。本发明采用基于SIW技术设置的双介质层与双金属层的集成结构，其结构简单，加工容易，通过异面过度与耦合馈电的方式解决了传统滤波器与天线尺寸大、设计复杂的问题。从而实现高度集成，一定程度上减小了模型尺寸。
专利权项：1.一种基于SIW的滤波天线，其特征在于，包括自上而下依次叠层设置的第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层；所述第一介质层上设有第一馈电单元以及辐射单元，所述第二介质层上设有滤波单元，所述第一金属层上设有第一耦合孔，所述第一耦合孔用于所述第一馈电单元与所述滤波单元以及所述滤波单元与所述辐射单元两两耦合；其中，所述滤波天线还包括叠层设于所述第二金属层下方的第三介质层，所述第三介质层设有与所述第一馈电单元相同的第二馈电单元，所述第二金属层设有与所述第一耦合孔相同的第二耦合孔，所述第一馈电单元与所述第二馈电单元形成差分式馈电并通过所述第一耦合孔与所述第二耦合孔进行耦合馈电；所述第二介质层内嵌入有金属圆柱阵列，所述金属圆柱阵列围成具有开口的矩形结构而形成谐振腔，所述谐振腔作为所述滤波单元；所述谐振腔包括通过窗口耦合级联的第一谐振腔与第二谐振腔；所述辐射单元包括设于所述第一介质层上表面且具有通孔的金属贴片，所述通孔与所述金属圆柱的形状、大小相同，并围成具有开口的矩形结构，以形成与所述谐振腔耦合级联的第三谐振腔。
百度查询： 深圳市飞宇信电子有限公司 基于SIW的滤波天线
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