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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2012-12-31
公开（公告）日：2013-05-08
公开（公告）号：CN103094656A
专利技术分类：..共轭器件，即至少有一端与另一端相隔离的装置[2006.01]
专利摘要：SIW电桥，涉及微波器件。本发明由介质基板和介质基板上的金属通孔构成，包括第一端口、第二端口和第三端口，隔离带作为第二端口的下壁和第三端口的上壁，第一端口上壁与第二端口上壁由第一斜边连接，第一端口下壁与第三端口下壁由第二斜边连接，三个端口为轴对称，隔离带处于对称轴上，第一斜边51与对称轴夹角为45°，第二斜边与对称轴夹角为45°，各端口的各壁皆由金属通孔排列构成，第一端口上壁、第一端口下壁、第二端口上壁和第三端口下壁平行于对称轴。本发明的电桥具有微波频带（40GHz～56GHz）内的高隔离性能，低的插入损耗和端口驻波。
专利权项：SIW电桥，其特征在于，由介质基板和介质基板上的金属通孔构成，包括第一端口[A1]、第二端口[A2]和第三端口[A3]，隔离带[A4]作为第二端口[A2]的下壁和第三端口[A3]的上壁，第一端口上壁[A11]与第二端口上壁[A21]由第一斜边[A51]连接，第一端口下壁[A12]与第三端口下壁[A22]由第二斜边[A52]连接，三个端口为轴对称，隔离带[A4]处于对称轴上，第一斜边[A51]与对称轴夹角为45°，第二斜边[A52]与对称轴夹角为45°，各端口的各壁皆由金属通孔排列构成，第一端口上壁、第一端口下壁、第二端口上壁和第三端口下壁平行于对称轴。
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