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申请/专利权人：中芯集成电路(宁波)有限公司
摘要：本发明公开了一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器，其中制备方法包括：提供基板；在基板上通过黄光工艺形成IDT光阻结构，IDT光阻结构包括多个间隔设置的光阻单元；将基板置入烤箱中，对IDT光阻结构进行固化；固化完成后，对光阻单元的尺寸进行微调，以缩小光阻单元的宽度；沉积IDT金属，并通过金属剥离工艺，剥离IDT光阻结构以及去除多余的金属，得到所需的IDT结构。本发明在常规制备方法的基础上，通过引入烤箱固化+光阻单元尺寸微调，可以根据不同的尺寸设计，调整IDT层曝光后的光刻胶CD，实现250～500nm不同尺寸的中高频SAW滤波器的IDT的制备。
主权项：1.一种中高频SAW滤波器的IDT的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上通过黄光工艺形成IDT光阻结构，所述IDT光阻结构包括多个间隔设置的光阻单元；将所述基板置入烤箱中，对所述IDT光阻结构进行固化；固化完成后，对所述光阻单元的尺寸进行微调，以缩小所述光阻单元的宽度；沉积IDT金属，并通过金属剥离工艺，剥离所述IDT光阻结构以及去除多余的金属，得到所需的IDT结构。
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权利要求：
百度查询： 中芯集成电路(宁波)有限公司 中高频SAW滤波器的IDT的制备方法及SAW滤波器
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