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申请/专利权人:昆明理工大学
摘要:本发明公开一种高延伸率SnBi系合金的制备方法,属于电子封装材料技术领域。本发明将SnBi合金进行真空熔炼,熔炼条件为500‑800℃,保温1h,在随后降温至300‑400℃时放入水中冷却;冷却后的样品进行室温压缩处理,压缩率在50‑80%之间;最后将压缩后的样品进行退火处理,在120℃保温1h,制成高延伸率样品;本发明所述制备方法可细化SnBi合金基体组织,从而大幅提高该合金的延伸率,改善SnBi合金基体的脆性问题。
主权项:1.一种高延伸率SnBi系合金的制备方法,其特征在于,包括以下几个步骤:(1)将SnBi合金在真空状态下熔炼;熔炼结束后,将样品在300-400℃取出,放入水中冷却;(2)将熔炼好的样品在室温下进行压缩处理;(3)将压缩好的样品进行退火处理,最终制备出高延伸率SnBi合金;步骤(2)中压缩速率为1×10-4-1×10-3s-1,压缩率为50-80%;步骤(3)中退火条件为:在120℃下保温1h。
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权利要求:
百度查询: 昆明理工大学 一种高延伸率SnBi系合金的制备方法
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