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申请/专利权人：南京航空航天大学
摘要：一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECsta‑C复合多层结构制备方法，它通过高熵合金（HEA）过渡层、HEA过渡层表面强化和HECsta‑C多层交替生长形成HEAHECsta‑Cn复合涂层。其制备方法包括：（1）衬底预处理、Ar离子清洗和靶材预溅射；（2）采用磁控溅射法制备HEA过渡层AlTiVCrZr；（3）HCPEB法强化过渡层；（4）采用磁控溅射法在强化后的AlTiVCrZr过渡层上沉积AlTiVCrZrC层；（5）采用过滤阴极真空电弧法在AlTiVCrZrC层上进一步沉积ta‑C；（6）重复（4）和（5）的操作得到AlTiVCrZrCta‑C多层交替的涂层。本发明的HECsta‑C复合多层增韧耐磨蚀涂层具有高硬度、强韧性和优异的耐磨蚀性能。
主权项：1.一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECsta-C复合多层结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，对衬底表面进行预处理、Ar离子清洗和靶材预溅射；步骤二，采用磁控溅射法，以AlTiVCrZr五种元素混合的合金靶，并通入氩气，在衬底表面制备AlTiVCrZr过渡层；步骤三，采用HCPEB法，对AlTiVCrZr过渡层进行表面强化；步骤四，采用磁控溅射法，以AlTiVCrZr五种元素混合的合金靶，并通入甲烷和氩气，进一步沉积AlTiVCrZrC层；步骤五，采用过滤阴极真空电弧法，以石墨靶，并通入氩气，在AlTiVCrZrC层上进一步沉积ta-C；步骤六，重复步骤四和步骤五的操作得到AlTiVCrZrCta-C多层交替的涂层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京航空航天大学 一种强流脉冲电子束增强HEA过渡层及其HECs/ta-C复合多层结构制备方法
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