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申请/专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要：本发明涉及一种利用C方向籽晶实现CeF3晶体定向生长的方法，包括如下步骤：a将CeF3单晶沿晶体C轴方向进行定向切割，经滚圆后，得到轴向平行于晶体C方向的圆柱形单晶棒，作为定向生长所需的C方向籽晶；b将CeF3粉料和氟化物除氧剂均匀混合，再经高温氟化处理，得到高温氟化处理后的混合粉料；c将所得C方向籽晶装入石墨坩埚底部籽晶孔中，再将高温氟化处理后的混合粉料装入石墨坩埚中，随后装上坩埚盖；d将石墨坩埚装入坩埚下降法晶体生长炉中，在真空条件下，以0.3～1mmh的下降速度进行CeF3晶体的生长，得到C方向的CeF3晶体。
主权项：1.一种利用C方向籽晶实现CeF3晶体定向生长的方法，其特征在于，包括如下步骤：a将CeF3单晶沿晶体C轴方向进行定向切割，经滚圆后，得到轴向平行于晶体C方向的圆柱形单晶棒，作为定向生长所需的C方向籽晶；b将CeF3粉料和氟化物除氧剂均匀混合，再经高温氟化处理，得到高温氟化处理后的混合粉料；c将所得C方向籽晶装入石墨坩埚底部籽晶孔中，再将高温氟化处理后的混合粉料装入石墨坩埚中，随后装上坩埚盖；d将石墨坩埚装入坩埚下降法晶体生长炉中，在真空条件下，以0.3～1mmh的下降速度进行CeF3晶体的生长，得到C方向的CeF3晶体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种利用C方向籽晶实现CeF3晶体定向生长的方法
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