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申请/专利权人：电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
摘要：本发明属于功率半导体器件领域，具体涉及一种具有双层P‑NiO电场屏蔽层的Ga2O3功率器件，包括：重掺杂衬底、第一外延层、第二外延层、第一层P‑NiO层、第二层P‑NiO层、第一金属电极、第二金属电极以及第三金属电极；第一金属电极设置在重掺杂衬底底部形成欧姆接触，重掺杂衬底上表面设置有第一外延层；第一外延层的上表面设置有第二外延层；第二外延层的两侧设置有槽，在槽内依次填充第一层P‑NiO层和第二层P‑NiO层；第二金属电极覆盖在两个槽之间的第二外延层上表面，使得第二金属电极与第二外延层形成欧姆接触，第三金属电极与第一层P‑NiO层、第二层P‑NiO层形成欧姆接触；本发明在与Ga2O3接触的一层采用较轻掺杂的P‑NiO，其耗尽区更容易拓展，槽角处电场集中显著降低，有利于提高击穿电压。并且，Ga2O3JFET通过级联共源共栅的低压n沟道MOSFET构成增强型共源共栅的Ga2O3JFET。
主权项：1.一种具有双层P-NiO电场屏蔽层的Ga2O3功率器件，其特征在于，包括：重掺杂衬底、第一外延层、第二外延层、第一层P-NiO层、第二层P-NiO层、第一金属电极、第二金属电极以及第三金属电极；所述第一金属电极设置在重掺杂衬底底部，重掺杂衬底上表面设置有第一外延层；第一外延层的上表面设置有第二外延层；第二外延层的两侧设置有槽，在槽内的底部和侧壁依次填充第一层P-NiO层和第二层P-NiO层；所述第二金属电极覆盖在两个槽之间的第二外延层上表面，所述第三金属电极覆盖在第一层P-NiO层、第二层P-NiO层上，与第二层P-NiO层形成欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 具有双层P-NiO电场屏蔽层的Ga2O3功率器件
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