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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种基于GaNYAlNGaN异质结的CMOS器件及其制造方法，主要解决现有GaN基CMOS载流子浓度和迁移率低的问题。其自下而上包括：衬底、缓冲层、GaNn型沟道层、YAlN势垒层、GaNp型沟道层、p‑GaN层、绝缘栅介质层，中间设有深度至n型沟道层中部的隔离槽；隔离槽右侧的p‑GaN层上设有右栅电极，且YAlN势垒层两端设有右源、漏电极，形成n型场效应管；隔离槽左侧的绝缘栅介质层上设有左栅电极，其p‑GaN层两端设有左源、漏电极，形成p型场效应管，这两个场效应管互联。本发明能提升CMOS器件载流子浓度和迁移率，提高器件工作频率和输出功率，可用于全GaN功率系统。
主权项：1.一种基于GaNYAlNGaN异质结的CMOS器件，其自下而上包括：衬底1、缓冲层2、GaNn型沟道层3、势垒层4、p-GaN层6、绝缘栅介质层7，p-GaN层6、势垒层4和GaNn型沟道层3中间设有隔离槽8，隔离槽8的深度至GaNn型沟道层3中部；隔离槽8右侧的p-GaN层6上设有右栅电极9，隔离槽8右侧的势垒层4两端设有右源电极10、右漏电极11，形成n型场效应管n-FET；隔离槽8左侧的绝缘栅介质层7上设有左栅电极12，隔离槽8左侧的p-GaN层6两端设有左源电极13、左漏电极14，形成p型场效应管p-FET，其特征在于：所述隔离槽8两侧的p-GaN层6与势垒层4与之间增设有厚度为20nm-40nm的未掺杂的GaNp型沟道层5，以提升载流子迁移率；所述势垒层4采用Al组分为85％-94％、厚度为15nm-30nm的YAlN材料，以降低势垒层应变，增强势垒层的极化强度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 基于GaN/YAlN/GaN异质结的CMOS器件及其制造方法
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