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申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院
申请日：2021-02-10
公开（公告）日：2022-08-16
公开（公告）号：CN114910841A
专利技术分类：....结构零部件，例如谐振器[2006.01]
专利摘要：本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，所述第三开关控制电路用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。在射频发射阶段，所述磁场增强组件所在回路的谐振频率偏离磁共振系统工作频率较远，因此通过设置合适的所述第五外接电容和所述第四外接电容，能够保证在磁共振系统的射频发射阶段，有无所述磁场增强组件时磁场强度相同。此时受测区域保持原来的磁场强度，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。
专利权项：1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：第一电介质层100，包括相对的第一表面101和第二表面102；第一电极层110，设置于所述第一表面101；第二电极层120和第四电极层140，间隔设置于所述第二表面102，所述第一电极层110在所述第一电介质层100的正投影分别与所述第二电极层120和所述第四电极层140在所述第一电介质层100的正投影具有重叠部分；第四外接电容444，所述第四外接电容444的两端分别与所述第一电极层110和所述第二电极层120连接；第五外接电容445和第三开关控制电路460，所述第五外接电容445的一端与所述第二电极层120连接，所述第五外接电容445的另一端与所述第三开关控制电路460的一端连接，所述第三开关控制电路460的另一端与所述第一电极层110连接，所述第三开关控制电路460用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开。
百度查询： 清华大学 北京清华长庚医院 磁场增强组件和磁场增强器件
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