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申请/专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日：2019-12-27
公开（公告）日：2020-11-06
公开（公告）号：CN211879377U
专利技术分类：...引线框架的[2006.01]
专利摘要：本实用新型涉及器件。公开了一种包括在引线框架的至少部分上的金属氧化层的引线框架。更特别地，描述了在锡电镀层被形成之前具有在一个或多个引线上形成金属层和金属氧化物层的引线框架。在一个或多个引线与锡电镀层之间的金属层和金属氧化物层减少了锡晶须的形成，因此减少了短路的可能性，并且改善了封装结构和被生产的器件的总体可靠性。
专利权项：1.一种器件，其特征在于，包括：铜引线框架；金属层，在所述铜引线框架的至少部分上；以及金属氧化物层，在所述金属层上。
百度查询： 意法半导体国际有限公司 器件
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