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申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2022-08-16

公开（公告）号：CN114910838A

专利技术分类：....结构零部件，例如谐振器[2006.01]

专利摘要：本申请涉及一种磁场增强组件以及磁场增强器件。第一电极层设置于第一表面，靠近第二端设置。第二电极层设置于第一表面，并与第一电极层间隔设置，且靠近第一端设置。第三电极层设置于第二表面，并靠近第二端设置，第三电极层在第一电介质层的正投影和第一电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第二结构电容。第四电极层设置于第二表面，并与第三电极层间隔设置，且靠近第一端设置，第四电极层在第一电介质层的正投影和第二电极层在第一电介质层的正投影部分重合，形成第三结构电容。第三谐振电路的一端与第二电极层远离第一端的一端电连接，第三谐振电路的另一端与第一电极层远离第二端的一端电连接。

专利权项：1.一种磁场增强组件，其特征在于，所述磁场增强组件包括：第一电介质层100，具有相对设置的第一表面101与第二表面102，所述第一电介质层100具有相对设置的第一端103与第二端104；第一电极层110，设置于所述第一表面101，并靠近所述第二端104设置；第二电极层120，设置于所述第一表面101，并与所述第一电极层110间隔设置，且靠近所述第一端103设置；第三电极层130，设置于所述第二表面102，并靠近所述第二端104设置，所述第三电极层130在所述第一电介质层100的正投影和所述第一电极层110在所述第一电介质层100的正投影部分重合，形成第二结构电容302；第四电极层140，设置于所述第二表面102，并与所述第三电极层130间隔设置，且靠近所述第一端103设置，所述第四电极层140在所述第一电介质层100的正投影和所述第二电极层120在所述第一电介质层100的正投影部分重合，形成第三结构电容303；第三谐振电路400，所述第三谐振电路400的一端与所述第二电极层120远离所述第一端103的一端电连接，所述第三谐振电路400的另一端与所述第一电极层110远离所述第二端104的一端电连接。

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