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一种双极性全固态LTD方波脉冲发生电路 

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申请/专利权人:西安交通大学

摘要:本发明公开了一种双极性全固态LTD方波脉冲发生电路,采用LTD电路模块、脉冲变压器和负载电阻RL,LTD电路模块包括充电回路、双极性推挽放电回路、负载回路和续流回路,充电回路的输出端与双极性推挽放电回路的输入端连接,双极性推挽放电回路的输出端与脉冲变压器原边绕组连接,负载回路、续流回路和负载电阻RL均连接于脉冲变压器的副边绕组,保证在高幅值宽脉宽的输出模式下,方波后沿不会出现较大的过冲,在负载上输出双极性的高压方波脉冲,不再需要另外的电路为磁芯复位,输出方波的脉冲宽度可在纳秒到微秒范围内连续可调,极大地提高了LTD电路输出参数的调节范围,可以满足肿瘤组织不可逆电穿孔消融技术对方波脉冲电源的参数要求。

主权项:1.一种双极性全固态LTD方波脉冲发生电路,其特征在于,包括M个并联的LTD电路模块、M个脉冲变压器和1个负载电阻RL,每个LTD电路模块连接一个脉冲变压器的原边,M个脉冲变压器的副边串联于1个负载电阻RL,LTD电路模块包括充电回路(2)、续流回路(4)和N个双极性推挽放电回路(1),N个双极性推挽放电回路(1)并联,双极性推挽放电回路(1)中的负极性输出端、正极性输出端、续流回路(4)的输出端和负载电阻RL的输出端均绕在同一脉冲变压器(3)上,双极性推挽放电回路(1)包括储能电容Ci、正极性放电MOSFET和负极性放电MOSFET,正极性放电MOSFET漏极和负极性放电MOSFET的漏极与储能电容Ci的一端共地,储能电容Ci的另一端和正极性放电MOSFET的源极分别连接正极性放电的原边绕组两端,储能电容Ci的另一端和负极性放电MOSFET的源极分别连接负极性放电的原边绕组两端,充电回路(2)包括1个高压直流电源Udc、1个充电电阻Rdc和1个充电MOSFETQc1,高压直流电源Udc的低压端接地,高压直流电源Udc的高压端接充电电阻Rdc的一端,充电电阻Rdc的另一端接MOSFETQc1的源极,MOSFETQc1的漏极接双极性推挽放电回路中储能电容Ci的另一端,储能电容Ci的一端接地,如此构成完整的充电回路,续流回路(4)包括1个正极性续流MOSFETDs1、1个负极性续流MOSFETDs2、1个续流电阻Rs和2个RCD缓冲电路,其中正极性续流MOSFETDs1漏极和负极性续流MOSFETDs2漏极接地,正极性续流MOSFETDs1的源极和正极性续流MOSFETDs1漏极之间并联有一个RCD缓冲电路,负极性续流MOSFETDs2的源极和负极性续流MOSFETDs2漏极之间并联有一个RCD缓冲电路,正极性续流MOSFETDs1的源极接脉冲变压器的副边一端,负极性续流MOSFETDs2源极接续流电阻Rs的一端,续流电阻Rs的另一端接脉冲变压器的副边另一端。

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