龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日：2019-03-27
公开（公告）日：2020-01-17
公开（公告）号：CN209963062U
专利技术分类：..按其形状区分的；按各半导体区域的形状、相对尺寸或配置区分的[2006.01]
专利摘要：本申请公开了一种半导体结构与半导体器件，该半导体结构包括：半导体衬底；外延层，为第一掺杂类型，位于半导体衬底的第一表面上；阱区，为第二掺杂类型，位于外延层上，阱区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；掺杂区，为第一掺杂类型，自阱区延伸至外延层中，从而在阱区中限定出至少一个阱区岛；以及隔离层，至少部分位于阱区与掺杂区之间，用于分隔阱区与掺杂区，其中，掺杂区接收控制电压，当控制电压满足预定范围时，每个阱区岛中形成与阱区反型的沟道区，沟道区靠近隔离层且与外延层接触。从而将之前决定PN结击穿电压的因素——外延层浓度，变成了阱区浓度，进而改变了PN结的击穿电压。
专利权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；外延层，为第一掺杂类型，位于所述半导体衬底的第一表面上；阱区，为第二掺杂类型，位于所述外延层上，所述阱区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；掺杂区，为第一掺杂类型，自所述阱区延伸至所述外延层中，从而在所述阱区中限定出至少一个阱区岛；以及隔离层，至少部分位于所述阱区与所述掺杂区之间，用于分隔所述阱区与所述掺杂区，其中，所述掺杂区接收控制电压，当所述控制电压满足预定范围时，每个所述阱区岛中形成与所述阱区反型的沟道区，所述沟道区靠近所述隔离层且与所述外延层接触。
百度查询： 北京燕东微电子科技有限公司 半导体结构与半导体器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号