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申请/专利权人：三菱电机株式会社
申请日：2006-10-06
公开（公告）日：2008-11-19
公开（公告）号：CN101310388A
专利技术分类：..按其构成材料的特征区分的[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种MOSFET以及MOSFET的制造方法，实现高耐压以及低导通损失高沟道迁移率以及低栅极阈值电压并且容易地实现正常截止化。此处，本发明的由碳化硅构成的MOSFET所具备的漂移层2具有第一区域2a和第二区域2b。第一区域2a为从表面到第一预定深度的区域。第二区域2b为形成在比第一预定深度深的区域的区域。另外，第一区域2a的杂质浓度低于第二区域2b的杂质浓度。
专利权项：1.一种MOSFET，其特征在于，具有：漂移层2，形成在衬底1的主面上并具有第一导电类型且由碳化硅构成；基区3，形成在上述漂移层的表面内并具有第二导电类型；以及源区4，形成在上述基区的表面内并具有第一导电类型，上述漂移层具有：第一区域2a，是从表面到第一预定深度的区域；以及第二区域2b，形成为比上述第一预定深度深的区域，上述第一区域的杂质浓度低于上述第二区域的杂质浓度。
百度查询： 三菱电机株式会社 MOSFET以及MOSFET的制造方法
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