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半导体器件、半导体晶片、半导体组件及半导体器件的制造方法专利

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申请/专利权人:株式会社日立制作所

申请日:1999-10-28

公开(公告)日:2000-07-19

公开(公告)号:CN1260590A

专利技术分类:.封装,例如密封层、涂覆物(H01L23/552优先)[2006.01]

专利摘要:提供半导体器件、半导体晶片以及半导体组件:其中半导体器件翘曲很小;在下落试验中几乎不产生芯片边缘的损伤和龟裂;半导体器件在安装可靠性和大规模生产性很优异。半导体器件17包括:半导体芯片64;提供在半导体芯片形成有电路和电极的平面上的多孔应力释放层3;提供在应力释放层上并连接到电极的电路层2;以及提供在所述电路层上的外部端子10;其中有机保护膜7形成在半导体芯片与应力释放层相反的平面上,应力释放层、半导体芯片6以及有机保护膜7的各侧面在相同的平面上露出。

专利权项:1.一种半导体器件,包括:半导体芯片,提供在所述半导体芯片形成有电路和电极的平面上的多孔应力释放层,提供在所述应力释放层上并连接到所述电极的电路层,提供在所述电路层上的外部端子,以及提供在与所述半导体芯片的所述应力释放层相反面上的有机保护膜。

百度查询: 株式会社日立制作所 半导体器件、半导体晶片、半导体组件及半导体器件的制造方法

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