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申请/专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日：2010-11-29
公开（公告）日：2012-05-30
公开（公告）号：CN102479713A
专利技术分类：......带有绝缘栅的[2006.01]
专利摘要：本发明实施例公开了一种MOSFET制造方法及一种MOSFET，该方法包括：在外延层表面上形成栅氧化层和多晶硅栅；在外延层表面内形成源区；进行源区氧化，在源区表面上多晶硅栅和源区之间的空隙中，形成氧化物。本发明实施例还提供了一种MOSFET，包括外延层、形成于外延层表面内的源区、形成于外延层表面上的栅氧化层和多晶硅栅，在所述MOSFET的源区表面上，多晶硅栅和源区之间的空隙中，设置有采用热氧化生长工艺形成的氧化层。本发明实施例中，源区表面形成的氧化物填充了多晶硅栅边缘和源区之间的间隙，同时增加了栅区边缘的栅氧化层的厚度，因此，能够减小栅区边缘的栅氧化层被击穿的可能性。
专利权项：一种MOSFET制造方法，其特征在于：在外延层表面上形成栅氧化层和多晶硅栅；在外延层表面内形成源区；进行源区氧化，在源区表面上多晶硅栅和源区之间的空隙中，形成氧化物。
百度查询： 无锡华润上华半导体有限公司 无锡华润上华科技有限公司 MOSFET制造方法及MOSFET
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