买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112670244B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011547817.2，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法是由林志雄;张嘉德;陈荣挺;王泰元设计研发完成，并于2014-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法。所述方法包括：在衬底上制造具有伪多晶硅栅极、伪层间IL氧化物和掺杂沟道的半导体结构。所述方法还包括去除伪多晶硅栅极和伪IL氧化物以暴露掺杂沟道、从衬底上的区域去除掺杂沟道、在衬底上的上述区域处形成用于半导体结构的无掺杂沟道、以及形成用于半导体结构的金属栅极。去除伪多晶硅栅极可包括干法和湿法蚀刻操作。去除伪IL氧化物可包括干法蚀刻操作。去除掺杂沟道可包括对衬底进行各向异性蚀刻操作。形成无掺杂沟道可包括采用外延工艺以生长无掺杂沟道。所述方法还可包括在无掺杂沟道上方生长IL氧化物。

本发明授权制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造具有无掺杂沟道的MOSFET的方法，所述方法包括：在衬底上制造具有伪多晶硅栅极、伪层间氧化物和掺杂沟道的半导体结构；去除所述伪多晶硅栅极以及部分所述伪层间氧化物以形成孔洞，所述孔洞暴露所述掺杂沟道；所述伪层间氧化物的位于所述孔洞的侧壁以及底部上的部分被保留，以保留的伪层间氧化物作为掩模从所述衬底上的区域去除所述掺杂沟道，其中，去除的所述掺杂沟道的横向范围延伸超出所述保留的伪层间氧化物所围设的横向范围；移除所述保留的伪层间氧化物；在移除形成有所述孔洞的所述保留的伪层间氧化物之后，在所述衬底上的所述区域处形成用于所述半导体结构的无掺杂沟道，其中，所述无掺杂沟道直接位于所述衬底中的掺杂阱上方；以及形成用于所述半导体结构的金属栅极，其中，所述去除所述伪层间氧化物包括在去除所述掺杂沟道之前和之后均执行蚀刻操作，其中，所述无掺杂沟道具有倾斜侧壁，并且所述无掺杂沟道的宽度在远离所述衬底的方向上逐渐增大。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。