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龙图腾网恭喜富士电机株式会社申请的专利半导体装置及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111886682B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980021045.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置及制造方法是由阿形泰典;吉村尚;泷下博;目黑美佐稀;儿玉奈绪子;伊仓巧裕;野口晴司;原田祐一;樱井洋辅设计研发完成，并于2019-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，在深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，第一氢浓度峰和第一施主浓度峰配置于第一深度，第二氢浓度峰和第二施主浓度峰配置于第二深度，该第二深度以下表面为基准时比第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从下表面朝向上表面而增大的上行斜坡，用第二氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第二施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用第一氢浓度峰的上行斜坡的斜率将第一施主浓度峰的上行斜坡的斜率归一化而得的值。

本发明授权半导体装置及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，在所述半导体基板的连结所述上表面和所述下表面的深度方向上，氢浓度分布具有第一氢浓度峰和第二氢浓度峰，且施主浓度分布具有第一施主浓度峰和第二施主浓度峰，所述第一氢浓度峰和所述第一施主浓度峰配置在第一深度，所述第二氢浓度峰和所述第二施主浓度峰配置在第二深度，所述第二深度以所述下表面为基准时比所述第一深度深，各浓度峰具有浓度值随着从所述下表面朝向所述上表面而增大的上行斜坡，用所述第二氢浓度峰的所述上行斜坡的斜率将所述第二施主浓度峰的所述上行斜坡的斜率归一化而得的值小于用所述第一氢浓度峰的所述上行斜坡的斜率将所述第一施主浓度峰的所述上行斜坡的斜率归一化而得的值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人富士电机株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县川崎市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。