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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112735948B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911033300.9，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张婷;赵海设计研发完成，并于2019-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底上具有若干相互分立的初始鳍部，相邻的初始鳍部之间具有沟槽；进行隔离离子注入处理，隔离离子注入的方向垂直于沟槽底部表面，在初始鳍部侧壁表面形成第一注入区，在所述沟槽底部表面形成第二注入区；进行第一退火处理，使所述第一注入区形成第一隔离层，所述初始鳍部形成鳍部，鳍部包括第二区以及位于所述第二区上的第一区；使所述第二注入区形成第二隔离层。通过对初始鳍部进行隔离离子注入，在所述初始鳍部侧壁与所述沟槽底部形成第一注入区与第二注入区，后续通过第一退火处理，减小了形成的鳍部第一区底部尺寸、以及加深了所述沟槽的深度，以此提升了最终形成的半导体结构的电学性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构形成的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有若干相互分立的初始鳍部，相邻的所述初始鳍部之间具有沟槽，所述初始鳍部的侧壁呈外扩倾斜状；进行隔离离子注入处理，所述隔离离子注入的方向垂直于所述沟槽底部表面，在所述初始鳍部侧壁表面形成第一注入区，在所述沟槽底部表面形成第二注入区；进行第一退火处理，使所述第一注入区形成第一隔离层，所述初始鳍部形成鳍部，所述鳍部包括第二区以及位于所述第二区上的第一区；使所述第二注入区形成第二隔离层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。