买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911176061.2，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2019-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层上具有第一牺牲膜；在第一牺牲膜上形成若干相互分立的第一侧墙和若干侧墙沟槽，若干侧墙沟槽中具有第一侧墙沟槽与第二侧墙沟槽；在第一侧墙沟槽内形成第二侧墙，第二侧墙填充满第一侧墙沟槽；以第一侧墙与第二侧墙为掩膜刻蚀第一牺牲膜，在待刻蚀层上形成若干第一牺牲层；在第一牺牲层侧壁形成第三侧墙。通过采用第二侧墙填充第一侧墙沟槽，使第二侧墙与第一侧墙沟槽两侧的第一侧墙形合并，在后续的图形传递过程中，合并后的第一侧墙与第二侧墙对应的待刻蚀层不会形成鳍部，省去了再采用光刻图形化工艺去除部分鳍部的过程，进而节约了制作时间与成本。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构形成的方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层上具有第一牺牲膜；在所述第一牺牲膜上形成若干相互分立的第一侧墙和若干侧墙沟槽，各所述侧墙沟槽位于相邻的所述第一侧墙之间，若干所述侧墙沟槽中具有第一侧墙沟槽与第二侧墙沟槽，所述第二侧墙沟槽的宽度大于所述第一侧墙沟槽的宽度；在所述第一侧墙沟槽内形成第二侧墙，所述第二侧墙填充满所述第一侧墙沟槽；以所述第一侧墙与所述第二侧墙为掩膜刻蚀所述第一牺牲膜，在所述待刻蚀层上形成若干第一牺牲层；在所述第一牺牲层侧壁形成第三侧墙；其中，所述第二侧墙的形成方法包括：在所述第一侧墙的侧壁与顶部表面形成第二侧墙膜；刻蚀所述第二侧墙沟槽表面以及所述第一侧墙顶部表面的所述第二侧墙膜，直至暴露出所述第一侧墙顶部表面为止，形成所述第二侧墙。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。