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龙图腾网恭喜浜松光子学株式会社申请的专利光检测装置和光检测装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113167642B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980081954.0，技术领域涉及：G01J1/42；该发明授权光检测装置和光检测装置的制造方法是由园部弘典设计研发完成，并于2019-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本光检测装置和光检测装置的制造方法在说明书摘要公布了：光检测装置1包括半导体基板10。在半导体基板10中，在从与主面10a正交的方向观察时，APD11和温度补偿用二极管12彼此隔开间隔地形成。半导体基板10在从与主面10a正交的方向观察时，在APD11与温度补偿用二极管12之间具有吸收位于周边的载流子的周边载流子吸收部13。在从与主面10a正交的方向观察时，在以最短距离连结APD11与温度补偿用二极管12之间的线段上，APD11与周边载流子吸收部13之间的最短距离比周边载流子吸收部13的边缘13a、13b中距APD11最近的部分13c与温度补偿用二极管12之间的最短距离小。

本发明授权光检测装置和光检测装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光检测装置，其特征在于，包括：半导体基板，其具有彼此相对的第一主面和第二主面，并且以在从与所述第一主面正交的方向观察时彼此隔开间隔的方式形成有雪崩光电二极管和温度补偿用二极管；及连接于所述半导体基板的至少一个电极，在从与所述第一主面正交的方向观察时，所述半导体基板在所述雪崩光电二极管与所述温度补偿用二极管之间具有吸收位于周边的载流子的周边载流子吸收部，所述半导体基板包含半导体区域，所述周边载流子吸收部包含从与所述第一主面正交的方向观察与所述半导体区域相接并且由所述半导体区域包围的半导体层，所述至少一个电极包含连接于所述周边载流子吸收部的所述半导体层的电极，在从与所述第一主面正交的方向观察时，在以最短距离连结所述雪崩光电二极管与所述温度补偿用二极管之间的线段上，所述雪崩光电二极管与所述周边载流子吸收部之间的最短距离比所述周边载流子吸收部的边缘中的距所述雪崩光电二极管最近的部分与所述温度补偿用二极管之间的最短距离小，通过作为偏置电压对所述雪崩光电二极管施加与施加于所述温度补偿用二极管的击穿电压相应的电压，进行所述雪崩光电二极管的倍增率的温度补偿。

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