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龙图腾网恭喜京东方华灿光电(苏州)有限公司申请的专利具有高发光面积的发光二极管芯片获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222356868U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420867350.7，技术领域涉及：H10H20/831；该实用新型具有高发光面积的发光二极管芯片是由葛俊飞;卫婷;吴旭辉;王顺设计研发完成，并于2024-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有高发光面积的发光二极管芯片在说明书摘要公布了：本公开提供了一种具有高发光面积的发光二极管芯片，属于半导体器件领域。该发光二极管芯片，包括：依次叠设的外延层、透明导电层和绝缘层；发光二极管还包括第一通孔和第二通孔，第一通孔依次贯穿绝缘层、透明导电层，直至外延层的第一半导体层，第二通孔依次贯穿绝缘层、透明导电层、外延层的第一半导体层，直至外延层的第二半导体层；第一通孔内具有第一电极，第一电极的尺寸与第一通孔的尺寸相匹配，第一电极与第一半导体层电连接，第二通孔内具有第二电极，第二电极的尺寸与第二通孔的尺寸相匹配，第二电极与第二半导体电连接。本公开能够提高发光二极管芯片的发光面积。

本实用新型具有高发光面积的发光二极管芯片在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：依次叠设的外延层10、透明导电层20和绝缘层30；所述发光二极管芯片还包括第一通孔40和第二通孔50，所述第一通孔40依次贯穿所述绝缘层30、所述透明导电层20，直至所述外延层10的第一半导体层110，所述第二通孔50依次贯穿所述绝缘层30、所述透明导电层20、所述外延层10的第一半导体层110，直至所述外延层10的第二半导体层120；所述第一通孔40内具有第一电极60，所述第一电极60的尺寸与所述第一通孔40的尺寸相匹配，所述第一电极60与所述第一半导体层110电连接，所述第二通孔50内具有第二电极70，所述第二电极70的尺寸与所述第二通孔50的尺寸相匹配，所述第二电极70与所述第二半导体层120电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(苏州)有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。