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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551333B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011329749.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成核心层；对牺牲区的核心层进行离子掺杂，适于使牺牲区的核心层与抗刻蚀区的核心层的被刻蚀速率不同，掺杂有离子的核心层用于作为牺牲层，未掺杂有离子的核心层用于作为抗刻蚀层；形成贯穿位于相邻牺牲区之间的核心层的沟槽；在沟槽的侧壁上形成侧墙，位于沟槽侧壁的侧墙围成第一凹槽；采用刻蚀工艺，去除牺牲层，形成贯穿抗刻蚀层的第二凹槽，刻蚀工艺对牺牲层的刻蚀速率大于对抗刻蚀层的刻蚀速率；以抗刻蚀层和侧墙为掩膜，刻蚀第一凹槽和第二凹槽底部的目标层，形成目标图形。本发明实施例有利于提高目标图形的图形精度、以及目标图形与设计图形的匹配度。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括用于形成目标图形的目标层；在所述基底上形成核心层，所述核心层包括用于形成抗刻蚀层的抗刻蚀区和用于形成牺牲层的牺牲区；对所述牺牲区的核心层进行离子掺杂，适于使所述牺牲区的核心层与抗刻蚀区的核心层的被刻蚀速率不同，位于所述牺牲区掺杂有离子的核心层用于作为牺牲层，位于所述抗刻蚀区未掺杂有离子的核心层用于作为抗刻蚀层；形成贯穿位于相邻所述牺牲区之间的核心层的沟槽，所述沟槽的侧壁暴露出位于所述牺牲区的核心层；在所述沟槽的侧壁上形成侧墙，位于所述沟槽侧壁的侧墙围成第一凹槽；在进行离子掺杂、以及形成所述第一凹槽之后，采用刻蚀工艺，去除所述牺牲层，在所述抗刻蚀层中形成贯穿抗刻蚀层的第二凹槽；其中，所述刻蚀工艺对所述牺牲层的刻蚀速率大于对所述抗刻蚀层的刻蚀速率；以所述抗刻蚀层和侧墙为掩膜，刻蚀所述第一凹槽和第二凹槽底部的所述目标层，形成目标图形。

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