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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利包括层叠的半导体芯片的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011237729.2，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装是由严柱日;朴真敬设计研发完成，并于2020-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括层叠的半导体芯片的半导体封装在说明书摘要公布了：本申请公开了包括层叠的半导体芯片的半导体封装。一种半导体封装包括设置在基板上方的子半导体封装。该子半导体封装包括在其上表面上具有芯片焊盘的子半导体芯片、围绕子半导体芯片的子模制层以及连接到各个芯片焊盘并在子模制层的上表面上方延伸的重分布导电层。该重分布导电层包括延伸到子模制层的边缘上并在其端部具有信号重分布焊盘的信号重分布导电层以及长度比信号重分布导电层的长度短的电源重分布导电层。该半导体封装还包括子信号互连器、子电源互连器以及形成在子半导体封装上方并且电连接到基板或子半导体芯片的至少一个主半导体芯片。

本发明授权包括层叠的半导体芯片的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，该半导体封装包括：基板；设置在所述基板上方的子半导体封装，其中，该子半导体封装包括在其上表面上具有芯片焊盘的子半导体芯片、围绕所述子半导体芯片的侧表面的子模制层以及连接到各个所述芯片焊盘并在所述子模制层的上表面上方延伸的重分布导电层，其中，该重分布导电层包括延伸到所述子模制层的边缘上的信号重分布导电层，在该信号重分布导电层的端部具有信号重分布焊盘，并且所述重分布导电层包括长度比所述信号重分布导电层的长度短的电源重分布导电层；子信号互连器，该子信号互连器将所述信号重分布焊盘连接到所述基板；子电源互连器，该子电源互连器在所述电源重分布导电层下方在垂直方向上延伸以将所述电源重分布导电层连接到所述基板；以及至少一个主半导体芯片，所述至少一个主半导体芯片形成在所述子半导体封装上方并且电连接到所述基板或所述子半导体芯片。

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