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龙图腾网恭喜宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置及拉晶方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118422317B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410661172.7，技术领域涉及：C30B15/10；该发明授权提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置及拉晶方法是由马吟霜;王黎光;芮阳;伊冉;李小红;魏兴彤;蔡瑞;杨少林设计研发完成，并于2024-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置及拉晶方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置及拉晶方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，所述热屏位于所述坩埚上方，所述提升环位于所述支撑环的上方，所述支撑环位于所述断热材部上，所述热屏的上部与所述提升环连接，所述提升环与所述热屏绳可拆卸连接，所述支撑环镶嵌在所述断热材部上，所述提升环与所述支撑环存在预定间距，进而使氩气能从提升环与支撑环的间隙进入，在炉内形成循环，有助于石英坩埚中的SiO中的氧原子进入晶棒，以提高高拉速晶棒的氧含量。

本发明授权提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置及拉晶方法在权利要求书中公布了：1.一种提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的方法，使用提高掺硼高拉速单晶硅氧含量的热场装置进行晶棒拉制，所述热场装置包括坩埚、加热组件、断热材部、热屏绳，所述加热组件位于所述坩埚的底部、侧部，设置在坩埚侧部的加热组件位于所述坩埚与所述断热材部之间，所述断热材部位于所述坩埚的周向，所述热屏绳位于所述断热材部的上方，其特征在于：包括依次进行的放肩步骤、转肩步骤和等径步骤，其中，所述放肩步骤中，晶棒拉速为1.2-2mmmin，炉压为5-15KPa，晶棒转速为10-20rpm，坩埚的转速为0.8-1.5rpm，惰性气体的流量为40-100slm；所述转肩步骤中，晶棒拉速为1.2-2mmmin，炉压为5-15KPa，晶棒转速为10-20rpm，坩埚的转速为0.8-1.5rpm，惰性气体的流量为40-100slm；所述等径步骤中，晶棒拉速为0.7-2mmmin，炉压为5-15KPa，晶棒转速为10-20rpm，坩埚的转速为0.8-2.5rpm，惰性气体的流量为40-100slm；所述热场装置还包括氧含量提升部，所述氧含量提升部包括热屏、提升环、支撑环，所述热屏位于所述坩埚上方，所述提升环位于所述支撑环的上方，所述支撑环位于所述断热材部上，所述热屏的上部与所述提升环连接，所述提升环与所述热屏绳可拆卸连接，所述支撑环镶嵌在所述断热材部上，所述提升环与所述支撑环存在预定间距，使气体能从提升环与支撑环的间隙进入，在炉内形成循环，有助于石英坩埚中的SiO中的氧原子进入晶棒，以提升氧含量；所述提升环与所述支撑环的间距为：5mm-30mm。

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