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龙图腾网恭喜上海朋熙半导体有限公司申请的专利晶圆缺陷检测方法、系统、设备及可读介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117352413B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311455698.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权晶圆缺陷检测方法、系统、设备及可读介质是由张强;赵京雷;蒋越设计研发完成，并于2023-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆缺陷检测方法、系统、设备及可读介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种晶圆缺陷检测方法、系统、设备及介质，方法包括当考虑缺陷半径时，构建R‑Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系，遍历当前晶圆层，查找增加缺陷和共同缺陷；遍历前一晶圆层，查找缺失缺陷，确定缺陷类型；当不考虑缺陷半径时，构建KD‑Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系，遍历当前晶圆层，查找增加缺陷和共同缺陷；遍历前一晶圆层，查找缺失缺陷，确定缺陷类型。通过在KD‑Tree和R‑Tree之间建立有效的映射和匹配，本申请能够实现准确且高效的Adder缺陷计算，从而提高了半导体制造过程中缺陷分析的效率和可靠性。

本发明授权晶圆缺陷检测方法、系统、设备及可读介质在权利要求书中公布了：1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括：当考虑缺陷半径时，构建R-Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系，初始化R-Tree索引，获取当前晶圆层和前一晶圆层的晶圆点信息，所述晶圆点信息包括晶圆点坐标和缺陷半径；遍历所述晶圆点信息，为每个晶圆点根据所述晶圆点坐标和缺陷半径定义一个包围盒，并将所述包围盒与所述晶圆点的索引插入所述R-Tree；遍历当前晶圆层，查找增加缺陷和共同缺陷，标记缺陷类型，遍历前一晶圆层，查找缺失缺陷，确定缺陷类型；当不考虑缺陷半径时，构建KD-Tree存储当前晶圆层和前一晶圆层关系，获取每一晶圆层中晶圆点信息，所述晶圆点信息包括晶圆点坐标；根据所述晶圆点信息为前一晶圆层和当前晶圆层构建KD-Tree索引；遍历当前晶圆层，查找增加缺陷和共同缺陷，标记缺陷类型，遍历前一晶圆层，查找缺失缺陷，确定缺陷类型。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海朋熙半导体有限公司，其通讯地址为：201208 上海市浦东新区涵桥路619号金鼎天地C栋15-17楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。