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龙图腾网恭喜安徽华晟新能源科技股份有限公司申请的专利异质结电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117594671B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311576906.3，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权异质结电池及其制备方法是由梅志纲;于长悦;辛科;张鑫;张鑫义设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质结电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供异质结太阳能电池及其制备方法。异质结太阳能电池包括：半导体衬底层；第一导电膜层，位于半导体衬底层的至少一侧；栅线电极，位于部分第一导电膜层远离半导体衬底层的一侧表面；第二导电膜层，位于部分第一导电膜层远离半导体衬底层的一侧表面且包围栅线电极，第二导电膜层在第一导电膜层的正投影与栅线电极在第一导电膜层的正投影共同完全覆盖第一导电膜层的表面，且第二导电膜层与栅线电极相对于第一导电膜层面积互补；第二导电膜层和栅线电极形成电连接。本发明保证栅线电极与导电膜层的接触面积增大的同时，避免栅线电极对异质结太阳电池的遮光面积增大，提高异质结太阳电池的光电转换效率。

本发明授权异质结电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：半导体衬底层；第一导电膜层，位于所述半导体衬底层的至少一侧；栅线电极，位于部分所述第一导电膜层远离所述半导体衬底层的一侧表面；第二导电膜层，位于部分所述第一导电膜层远离所述半导体衬底层的一侧表面且包围所述栅线电极，所述第二导电膜层在所述第一导电膜层的正投影与所述栅线电极在所述第一导电膜层的正投影共同完全覆盖所述第一导电膜层的表面，且所述第二导电膜层与所述栅线电极相对于所述第一导电膜层面积互补；所述第二导电膜层和所述栅线电极形成电连接；其中，所述栅线电极在所述第一导电膜层的正投影面积小于或等于所述第一导电膜层的表面的面积的50％；所述栅线电极的宽度尺寸为5μm-50μm；所述第二导电膜层的厚度小于所述栅线电极的高度；所述第二导电膜层的厚度为所述栅线电极的高度的0.03％-3.6％；所述栅线电极的高度为5μm-30μm；所述第一导电膜层的厚度与所述第二导电膜层的厚度之和为20nm-200nm；所述第一导电膜层的厚度为1nm-80nm；所述第二导电膜层的厚度为10nm-180nm。

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