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龙图腾网恭喜爱思开海力士有限公司申请的专利存储器设备及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113724762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110212116.1，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权存储器设备及其操作方法是由赵诚勋;沈载星;崔世卿设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器设备及其操作方法在说明书摘要公布了：本文中提供的可以是存储器设备及其操作方法。存储器设备可以包括多个单元串、外围电路和控制逻辑。单元串中的每个单元串包括漏极选择晶体管、源极选择晶体管、和串联耦合在漏极选择晶体管与源极选择晶体管之间的多个存储器单元。外围电路可以被配置为对从多个单元串之中选择的单元串执行编程操作和编程验证操作。控制逻辑可以被配置为在编程验证操作期间基于编程操作的进展程度与参考进展程度之间的比较，来控制外围电路升高多个单元串之中的至少一个未选择单元串的沟道电压。

本发明授权存储器设备及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，包括：多个单元串，每个单元串包括漏极选择晶体管、源极选择晶体管、和串联耦合在所述漏极选择晶体管与所述源极选择晶体管之间的多个存储器单元；外围电路，被配置为对从所述多个单元串之中选择的单元串执行编程操作和编程验证操作；以及控制逻辑，被配置为在所述编程验证操作期间基于所述编程操作的进展程度与参考进展程度之间的比较，来控制所述外围电路升高所述多个单元串之中的至少一个未选择单元串的沟道电压，其中在所述编程验证操作期间，当所述编程操作的所述进展程度等于或高于所述参考进展程度时，所述控制逻辑控制所述外围电路减轻所述至少一个未选择单元串的所述沟道电压的升高。

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