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龙图腾网恭喜株式会社迪思科申请的专利带金属膜的半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111146084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911059193.7，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权带金属膜的半导体器件的制造方法是由铃木克彦设计研发完成，并于2019-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本带金属膜的半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种带金属膜的半导体器件的制造方法，降低安装电磁波屏蔽件所需的空间。带金属膜的半导体器件的制造方法具备：切削槽形成步骤，使切削刀具切入至被加工物的第1面，沿着分割预定线形成深度超过被加工物的完工厚度的切削槽；保护部件粘贴步骤，在切削槽形成步骤后，在被加工物的第1面上粘贴保护部件；磨削步骤，隔着保护部件利用卡盘工作台保持被加工物，对第2面侧进行磨削直至被加工物达到完工厚度为止，由此将被加工物分割成多个半导体器件；金属膜被覆步骤，在磨削步骤后，在第1面侧粘贴有保护部件的多个半导体器件的各侧面和磨削后的第2面侧被覆金属膜；以及保护部件除去步骤，在金属膜被覆步骤后，从第1面侧除去保护部件。

本发明授权带金属膜的半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种带金属膜的半导体器件的制造方法，其特征在于，其具备下述步骤：切削槽形成步骤，使切削刀具切入至被加工物的第1面，该被加工物具有在由呈格子状配置的多条分割预定线划分出的各区域设置有半导体元件的电极的该第1面以及与该第1面相反的一侧的第2面，沿着该分割预定线形成深度超过被加工物的完工厚度的切削槽；保护部件粘贴步骤，在该切削槽形成步骤后，在该被加工物的该第1面上粘贴保护部件；磨削步骤，隔着该保护部件利用卡盘工作台保持该被加工物，对该第2面侧进行磨削直至该被加工物达到完工厚度为止，由此将该被加工物分割成多个半导体器件；金属膜被覆步骤，在该磨削步骤后，在该第1面侧粘贴有该保护部件的该多个半导体器件的各侧面和磨削后的该第2面侧被覆金属膜；以及保护部件除去步骤，在该金属膜被覆步骤后，从该第1面侧除去该保护部件，其进一步具备下述步骤：保护膜被覆步骤，在该切削槽形成步骤前利用保护膜被覆该第1面侧；保护膜除去步骤，在该保护部件除去步骤后除去该保护膜；激光加工槽形成步骤，在该保护膜被覆步骤后且在该切削槽形成步骤前，对形成有该保护膜的该被加工物的该第1面侧照射激光束，沿着该分割预定线形成宽度比该切削槽更宽的激光加工槽；以及保护膜除去线形成步骤，在该保护膜被覆步骤后且在该激光加工槽形成步骤前，沿着该分割预定线对该保护膜照射具有对于该保护膜来说为吸收性的波长的激光束，由此形成沿着该分割预定线以比该切削槽和该激光加工槽中的任一者更宽的宽度除去该保护膜而得到的保护膜除去线，在该保护部件粘贴步骤中使该保护部件与该保护膜密合。

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