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申请/专利权人：浜松光子学株式会社

申请日：2023-02-15

公开（公告）日：2025-01-17

公开（公告）号：CN119325751A

专利技术分类：

专利摘要：一种半导体受光元件1，包括：基板10；半导体层叠部20，其在上述基板10上形成，具有上述基板10侧的背面10b、与上述基板10相反侧的表面10a和从上述背面10b向上述表面10a延伸的侧面20s，上述半导体层叠部20包含含有InxGa1‑xAs的第1导电类型的光吸收层23；设置在上述基板10与上述光吸收层23之间的上述第1导电类型的光波导层21、22和相对于上述光吸收层23位于与上述基板10相反侧并且与上述光吸收层23接合的与上述第1导电类型不同的第2导电类型的第1半导体层24，上述光吸收层23中的In组成x为0.55以上，上述光吸收层23的厚度为1.8μm以下，半导体受光元件1是从上述侧面20s接受上述光的入射的侧面入射型，从上述侧面20s入射的上述光经由上述光波导层21、22到达上述光吸收层23。

专利权项：1.一种半导体受光元件，其中，是用于接受1.3μm波段、1.55μm波段和1.6μm波段的至少1个波长段的光的入射，且与入射光相应地生成电信号的半导体受光元件，包括：基板；半导体层叠部，其在所述基板上形成，且包含所述基板侧的背面、与所述基板相反侧的表面、和从所述背面向所述表面延伸的侧面；和与所述半导体层叠部电连接的第1电极和第2电极，所述半导体层叠部包含：含有InxGa1-xAs的第1导电类型的光吸收层；设置在所述基板与所述光吸收层之间的所述第1导电类型的光波导层；和相对于所述光吸收层位于与所述基板相反侧并且与所述光吸收层接合的、与所述第1导电类型不同的第2导电类型的第1半导体层，所述第1电极与所述半导体层叠部中相对于所述光吸收层位于所述基板侧的所述第1导电类型的第1部分连接，所述第2电极与所述半导体层叠部中相对于所述光吸收层位于与所述基板相反侧的所述第2导电类型的第2部分连接，所述光吸收层中的In组成x为0.55以上，所述光吸收层的厚度为1.8μm以下，所述半导体受光元件为从所述侧面接受所述光的入射的侧面入射型，从所述侧面入射的所述光经由所述光波导层达到所述光吸收层。

百度查询： 浜松光子学株式会社 半导体受光元件