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申请/专利权人：株式会社日立制作所
申请日：2000-03-28
公开（公告）日：2002-05-15
公开（公告）号：CN1349662A
专利技术分类：.....由绝缘栅产生场效应的[2006.01]
专利摘要：为了采用Si和与起同族的元素Ge、C等的组合,提供一种具有低消耗电力下高速的场效应晶体管,利用形变施加层2将形变施加到形成场效应晶体管沟道的沟道形成层1上,使沟道中的载流子迁移率比无形变的沟道形成层材料大。
专利权项：1、一种半导体器件，具有形成场效应晶体管沟道的沟道形成层和对该沟道形成层的晶格施加形变的形变施加半导体层，上述沟道中的载流子迁移率比无形变的上述沟道形成层材料的大。
百度查询： 株式会社日立制作所 半导体器件和半导体衬底
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