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龙图腾网恭喜英特尔公司申请的专利具有基于温度差的操作的数据存储设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111164696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880063162.6，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权具有基于温度差的操作的数据存储设备是由A·S·马德拉斯瓦拉;X·郭;A·哈基菲罗兹;P·卡拉瓦德;S·尤帕德亚亚设计研发完成，并于2018-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有基于温度差的操作的数据存储设备在说明书摘要公布了：本发明的实施例可以涉及一种存储器控制器，该存储器控制器可以包括存储器接口以及与该存储器接口耦合的逻辑电路组件。在一些实施例中，逻辑电路用于在第一遍中利用第一组数据经由存储器接口来对多级NAND存储器阵列的一个或多个NAND单元进行编程，确定与所述第一遍相关联的多级NAND存储器阵列的第一温度，确定多级NAND存储器阵列的第二温度，确定该第二温度与第一温度之间的温度差，并且至少部分地基于对所述温度差的确定的结果来执行一个或多个操作。可以描述和或要求保护其他实施例。

本发明授权具有基于温度差的操作的数据存储设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器控制器，包括： 存储器接口；以及 与所述存储器接口耦合的逻辑电路组件，其中，所述逻辑电路组件用于进行以下操作： 在第一遍中，利用第一组数据、经由所述存储器接口来对多级NAND存储器阵列的一个或多个NAND单元进行编程； 确定与所述第一遍相关联的所述多级NAND存储器阵列的第一温度； 在确定所述第一温度之后确定所述多级NAND存储器阵列的第二温度； 确定所述第二温度与所述第一温度之间的温度差；以及 至少部分地基于对所述温度差的所述确定的结果来执行一个或多个操作，其中，所述一个或多个操作包括以下操作中的一个或多个： 响应于所述温度差小于或等于预先定义的阈值，在第二遍中利用第二组数据来对所述一个或多个NAND单元进行编程；以及响应于所述温度差大于所述预先定义的阈值，向主机控制器发送指示所述温度差超过所述预先定义的阈值的标志，以促进对所述一个或多个NAND单元的外部数据读取、与所述一个或多个NAND单元相关联的数据校正、或者对由所述一个或多个NAND单元编码的数据的恢复。

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