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恭喜佳能株式会社铃木健太郎获国家专利权

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龙图腾网恭喜佳能株式会社申请的专利图像拾取装置和图像拾取装置的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112838102B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110086365.0,技术领域涉及:H10F39/12;该发明授权图像拾取装置和图像拾取装置的制造方法是由铃木健太郎;中塚俊介设计研发完成,并于2016-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

图像拾取装置和图像拾取装置的制造方法在说明书摘要公布了:本发明涉及图像拾取装置和图像拾取装置的制造方法。该图像拾取装置具有其中布置像素的像素区域并且其中设置多层布线结构。各像素包含光电转换单元、电荷蓄积单元、浮置扩散、覆盖电荷蓄积单元并且在光电转换单元之上开口的遮光部分以及在平面图中至少部分地重叠遮光部分形成开口的部分的波导。该装置包括设置在光学波导下面的绝缘膜。该绝缘膜具有比层间绝缘膜的折射率高的折射率。该绝缘膜被设置为与到多层布线结构的布线层中的最下面的布线层相比更接近光电转换单元。该绝缘膜延伸到遮光部分之上的部分。绝缘膜比光学波导的下部宽。

本发明授权图像拾取装置和图像拾取装置的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种图像拾取装置,其特征在于,所述图像拾取装置具有多个像素布置在其上的半导体基板、以及设置在所述半导体基板上的多个布线层,所述多个像素中的每一个包含: 光电转换单元, 电荷蓄积单元, 浮置扩散单元, 漏极单元, 第一栅电极,所述第一栅电极被设置在所述光电转换单元和所述漏极单元之间, 第二栅电极,所述第二栅电极被设置在所述光电转换单元和所述电荷蓄积单元之间,以及 第三栅电极,所述第三栅电极被设置在所述电荷蓄积单元和所述浮置扩散单元之间, 其中,所述光电转换单元、第一栅电极以及漏极单元按此顺序沿第一方向布置, 其中,所述光电转换单元、第二栅电极以及电荷蓄积单元按此顺序沿与第一方向相交的第二方向布置,以及 其中,所述第二栅电极和所述第三栅电极按此顺序沿平行于第一方向并且与第一方向相反的第三方向布置, 所述图像拾取装置包括: 光学波导,所述光学波导被设置在所述光电转换单元之上,以及 遮光部分,所述遮光部分被设置在所述多个布线层和所述半导体基板之间,被布置在所述电荷蓄积单元的至少一部分和所述第二栅电极的至少一部分之上,以及 绝缘膜,其包含设置在所述光电转换单元和所述光学波导之间的、延伸到遮光部分之上的部分,其中所述绝缘膜的折射率高于设置在所述多个布线层之间的层间绝缘膜的折射率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人佳能株式会社,其通讯地址为:日本东京;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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