恭喜京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司徐帅获国家专利权
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龙图腾网恭喜京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司申请的专利平板探测器、驱动方法、驱动装置及平板探测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759047B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110023055.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权平板探测器、驱动方法、驱动装置及平板探测装置是由徐帅;张晔;许彬彬;赵斌设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本平板探测器、驱动方法、驱动装置及平板探测装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平板探测器、驱动方法、驱动装置及平板探测装置，通过设置半导体材料的补偿结构，可以使补偿结构与检测晶体管的栅极形成肖特基接触，从而形成肖特基二极管形式。这样可以降低耦合电容Cgs和Cgd对成像检测电压的不利影响，从而提高成像检测电压的均一性，提高形成的检测图像的灰度均一性。
本发明授权平板探测器、驱动方法、驱动装置及平板探测装置在权利要求书中公布了：1.一种平板探测器，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的多个探测单元；各所述探测单元包括光电二极管和检测晶体管；其特征在于， 所述平板探测器还包括：补偿半导体材料层；所述补偿半导体材料层包括相互间隔设置的多个补偿结构；其中，一个所述检测晶体管对应设置一个所述补偿结构，所述补偿结构位于对应的所述检测晶体管的栅极和栅绝缘层之间，所述补偿结构与所述检测晶体管的所述栅极形成肖特基接触，用于降低所述检测晶体管的所述栅极分别与所述检测晶体管的第一极和第二极之间的耦合电容对成像检测电压的影响。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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