恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司朱瑶获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119824394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510309855.0，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权薄膜及其制备方法是由朱瑶;杨军设计研发完成，并于2025-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种薄膜及其制备方法，涉及半导体技术领域，该薄膜的制备方法中，在第一预设时间内，在反应腔体中通入第一反应源和第二反应源形成第一薄膜，然后在第二预设时间，停止第一反应源通入的同时，增加通入第二反应源的物质的量，使反应腔体内的环境维持稳定状态，将剩余的第一反应源和第二反应源继续完全反应形成与第一薄膜的材料相同的第二薄膜，然后再在第三预设时间，对晶圆进行清洗得到晶圆上的薄膜结构。由于反应腔体内的反应环境维持稳定状态，使得剩余的第一反应源与第二反应源不会再出现不完全反应的情况，避免了剩余的第一反应源因为没有完全反应而生成副产物掉落在晶圆上形成凸点缺陷的可能，提高了晶圆的良率。
本发明授权薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括： 在第一预设时间内，向反应腔体内通入第一反应源以及第二反应源，以在晶圆上形成第一薄膜； 在第二预设时间内，停止向所述反应腔体内通入所述第一反应源，增加向所述反应腔体内通入所述第二反应源的物质的量，以控制所述反应腔体内所述第一反应源的物质的量与所述第二反应源的物质的量之和不变，所述反应腔体内的反应环境维持稳定状态，所述反应腔体内剩余的所述第一反应源与所述第二反应源反应，在所述第一薄膜背离所述晶圆的一侧形成第二薄膜；所述第一薄膜的材料与所述第二薄膜的材料相同； 在第三预设时间内，以所述第二反应源为清洗气体，对形成所述第二薄膜之后的所述晶圆进行清洗。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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