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龙图腾网恭喜浙江大学申请的专利一种紧凑型二阶拓扑绝缘体量子级联激光器及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890927B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510364398.5，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种紧凑型二阶拓扑绝缘体量子级联激光器及其加工方法是由韩松;李纪新;郑斌;陈红胜设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紧凑型二阶拓扑绝缘体量子级联激光器及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种紧凑型二阶拓扑绝缘体量子级联激光器及其加工方法，属于拓扑光子学技术领域，所述紧凑型二阶拓扑绝缘体量子级联激光器包括由下而上设置的底部金属电极、拓扑光学谐振腔、二氧化硅绝缘层、顶部金属电极和导线，所述拓扑光学谐振腔为QCL层，所述QCL层设置于底部金属电极的上方，所述二氧化硅绝缘层包覆于QCL层的顶部外围，所述顶部金属电极沉积于二氧化硅绝缘层的上方及QCL层的内部上方，所述导线与顶部金属电极相连接，用于引入电流进行电泵浦激发。本发明解决了传统半导体激光器光电转换效率低、输出不稳定、难以集成以及二阶拓扑绝缘体量子级联激光器设计复杂、制造困难、体积大不利于集成的问题。

本发明授权一种紧凑型二阶拓扑绝缘体量子级联激光器及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种紧凑型二阶拓扑绝缘体量子级联激光器，其特征在于，包括由下而上设置的底部金属电极、拓扑光学谐振腔、二氧化硅绝缘层、顶部金属电极和导线，所述拓扑光学谐振腔为QCL层，所述QCL层设置于底部金属电极的上方，所述二氧化硅绝缘层包覆于QCL层的顶部外围，所述顶部金属电极沉积于二氧化硅绝缘层的上方及QCL层的内部上方，所述导线与顶部金属电极相连接，用于引入电流进行电泵浦激发； 所述QCL层的柱体结构由平庸域柱体结构和非平庸域柱体结构构造而成，所述平庸域柱体结构的横截面为圆形或菱形，所述非平庸域柱体结构的横截面为四个四分之一圆形或四个四分之一菱形；所述QCL层的柱体结构元胞横截面形状为圆形“+”字、圆形“×”型或菱形中的一种，具体为： 当所述QCL层的柱体结构元胞横截面形状为圆形“+”字时，所述平庸域柱体结构与非平庸域柱体结构之间采用圆形“+”字脉络连接，所述平庸域柱体结构的横截面为圆形，所述非平庸域柱体结构的横截面为四分之一圆形；其中，QCL层柱体结构单元的特征尺寸为20μm，圆形半径尺寸为7.07μm，“+”字脉络的宽度为2μm，长度为20μm，所述平庸域柱体结构的元胞两条脉络中心均与元胞中心对齐，所述非平庸域柱体结构的四条脉络中心分别与元胞四边中心对齐，由QCL层柱体结构单元组成的QCL层柱体结构整体特征尺寸为180μm； 当所述QCL层的柱体结构元胞横截面形状为圆形“×”型时，所述平庸域柱体结构与非平庸域柱体结构之间采用圆形“×”型脉络连接，所述平庸域柱体结构的横截面为圆形，所述非平庸域柱体结构的横截面为四分之一圆形；其中，QCL层柱体结构单元的特征尺寸为20μm，圆形半径尺寸为6.6μm，“×”型脉络的宽度为2μm，长度为28.3μm，所述平庸域柱体结构的元胞与非平庸域柱体结构的元胞两条脉络中心均与元胞中心对齐，由QCL层柱体结构单元组成的QCL层柱体结构整体特征尺寸为160μm； 当所述QCL层的柱体结构元胞横截面形状为菱形时，所述平庸域柱体结构与非平庸域柱体结构之间采用菱形“+”字脉络连接，所述平庸域柱体结构的横截面为菱形，所述非平庸域柱体结构的横截面为四分之一菱形；其中，QCL层柱体结构单元的特征尺寸为20μm，菱形边长为14.1μm，且每个QCL层柱体结构单元内部无“+”字脉络连接，而是通过贯穿整个腔体的“+”字脉络将各个柱体结构单元连接，由QCL层柱体结构单元组成的QCL层柱体结构整体特征尺寸为200μm； 所述QCL层中拓扑光子晶体谐振腔内元胞的横截面为正方形，其中在平庸域内，柱体结构的横截面中心内填充有砷化镓材料，其余部分填充有空气；在非平庸域内，柱体结构的横截面四周填充有砷化镓材料，中心区域填充有空气，且所述元胞的排列方式为二维阵列式排列。

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