恭喜深圳平湖实验室支海朝获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜深圳平湖实验室申请的专利一种晶体管、其制作方法及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510458223.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种晶体管、其制作方法及电子器件是由支海朝;万玉喜;曾威;胡浩林;王晓萍设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体管、其制作方法及电子器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体管、其制作方法及电子器件，超结层中包括P型缓冲结构和N型缓冲结构中的至少一个，P型缓冲结构设于P柱与漂移层之间，N型缓冲结构设于N柱与漂移层之间。如此，通过P型缓冲结构可以等效于纵向扩展P柱与漂移层之间的接触面，通过N型缓冲结构可以等效于纵向扩展N柱与漂移层之间的接触面，避免超结层与漂移层之间产生局部热点，从而避免晶体管损坏、失效，提高晶体管的可靠性。
本发明授权一种晶体管、其制作方法及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括：依次堆叠设置的第一电极层、缓冲层、漂移层和超结层；所述超结层包括多个P柱和多个N柱，所述P柱和所述N柱的延伸方向平行于堆叠方向，所述P柱和所述N柱沿着第一方向交替排列，所述第一方向垂直于所述堆叠方向； 所述超结层还包括P型缓冲结构和N型缓冲结构中的至少一个，所述P型缓冲结构设于所述P柱与所述漂移层之间，所述N型缓冲结构设于所述N柱与所述漂移层之间； 所述晶体管还包括：位于所述超结层背离所述漂移层一侧的P-阱层，所述P-阱层内设有空穴复合结构，所述P柱向所述P-阱层的正投影与所述空穴复合结构交叠；所述空穴复合结构包括：沿着所述堆叠方向排布的N+掺杂部和N-掺杂部，所述N-掺杂部设于所述N+掺杂部背离所述P柱一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号