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龙图腾网恭喜无锡中微晶园电子有限公司申请的专利一种低暗电流光电三极管的制造方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566105B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211334621.4，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种低暗电流光电三极管的制造方法及结构是由陈培仓;朱赛宁;王涛;陈慧蓉设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低暗电流光电三极管的制造方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种低暗电流光电三极管的制造方法及结构，属于半导体领域。本发明采用浓硼区设计和低电阻率外延制造工艺，其工艺包括如下步骤：低电阻率外延圆片准备、圆片清洗、场氧化、浓硼区注入、浓硼区扩散、淡硼基区注入、淡硼基区扩散、发射区注入、发射区扩散、增透膜层淀积、接触孔区光刻腐蚀、金属淀积、金属焊盘区光刻腐蚀、金属化合金。所得芯片的结构为N+‑N‑‑P‑‑N+型。本发明适当降低了顶层外延电阻率，提升了集电区一侧掺杂浓度，有效减小了集电结漏电流；同时在芯片设计时增加了浓硼区结构，提升了集电结基区一侧掺杂浓度，有效降低了集电结漏电流，提高了芯片暗电流性能，实现高温领域应用需求。

本发明授权一种低暗电流光电三极管的制造方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种低暗电流光电三极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 将N111单层或多层外延晶片清洗甩干，装入氧化工艺炉管内进行高温热氧化，形成介质氧化层； 对场氧化后的晶片旋涂光刻胶、浓硼区曝光、显影，在厚氧化层去除和薄氧生长后进行高剂量硼注入，注入后再进行950℃以上高温扩散，形成浓硼区； 对场氧化后的晶片旋涂光刻胶、浓硼区曝光、显影，在厚氧化层去除和薄氧生长后进行淡硼区中剂量硼注入，注入后再进行950℃以上高温扩散，形成淡硼基区； 对场氧化后的晶片旋涂光刻胶、发射区曝光、显影，在厚氧化层去除和薄氧生长后进行发射区高剂量磷注入，注入后再进行950℃以上高温扩散，形成发射区和外围的截止环区； 淀积一层预设厚度的SiN薄膜，作为防止钝化的表面保护层，同时也用作光吸收增透膜； 对场氧化后的晶片旋涂光刻胶、接触孔区曝光、显影，再去除中间介质层，开出接触孔区； 对晶片进行金属淀积，再进行光刻胶旋涂、金属区曝光、显影，带胶进行金属刻蚀，刻蚀完去除表面光刻胶，形成金属焊盘区； 对晶片进行高温合金降低金半电阻。

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