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龙图腾网恭喜北京清研半导科技有限公司申请的专利一种碳化硅单晶生长效果对比装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115434006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211060989.6，技术领域涉及：C30B19/00；该发明授权一种碳化硅单晶生长效果对比装置及方法是由梁刚强;陈雅薇;苏奕霖;李强设计研发完成，并于2022-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅单晶生长效果对比装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅单晶生长效果对比装置及方法，包括石墨坩埚、石墨托和石墨籽晶杆，石墨坩埚内用于加入硅块，通过加热石墨坩埚能够使硅块熔化并与石墨坩埚内壁反应生成SiC饱和溶液，石墨托底面设有同一圆心的多个固定圈，各固定圈中均包括多个用于固定籽晶衬底的固定区，相邻两个固定圈中的固定区数量相等且一一对应，各固定圈中相对应的固定区位于经固定圈的圆心向外延伸的半径线上，石墨托顶面与石墨籽晶杆连接，通过下降石墨籽晶杆能够将石墨托底部固定的各籽晶衬底与SiC饱和溶液的液面接触。本发明能够降低探究SiC晶体工艺窗口的时间和成本，加速SiC晶体从研究到应用的过程，并且结构设置简单，操作方便。

本发明授权一种碳化硅单晶生长效果对比装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅单晶生长效果对比方法，其特征在于，包括以下步骤：在石墨托表面以同一圆心固定若干圈籽晶衬底，使同一圈中的各所述籽晶衬底晶面各不相同或离轴角度各不相同，并使相邻两圈中的所述籽晶衬底数量相等且一一对应，各圈中相对应的所述籽晶衬底位于经所述圆心向外延伸的半径线上，同一所述半径线上的各所述籽晶衬底晶面相同或离轴角度相同，将石墨坩埚和硅块的温度提升至硅熔点以上，同时腐蚀所述石墨坩埚以提供碳源，形成SiC饱和溶液，将所述石墨托下降，使低温区的各所述籽晶衬底与高温区的所述SiC饱和溶液液面接触，所述SiC饱和溶液传输至所述籽晶衬底低温端形成过饱和溶液，在各所述籽晶衬底上获得SiC晶体，对比同一圈中各所述SiC晶体生长情况和同一所述半径线上各所述SiC晶体生长情况。

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