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龙图腾网恭喜厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种LED芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513343B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211180695.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种LED芯片的制备方法是由刘伟;陈添旭;刘伟文;李健设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种LED芯片制备方法，首先在外延叠层背离衬底的表面旋涂负性光刻胶，然后采用第一光刻版对负性光刻胶进行第一次曝光，再采用第二光刻版对负性光刻胶进行第二次曝光，之后对经两次曝光后的负性光刻胶进行显影形成光刻胶图形，以具有光刻胶图形的负性光刻胶为掩膜，对外延叠层进行刻蚀，形成隔离沟道，隔离沟道贯穿外延叠层，直至衬底表面，以将外延叠层分隔为多个子外延叠层，并形成台面，台面裸露部分第一型半导体层，一个子外延叠层对应一个LED芯片，即本申请实施例所提供的LED芯片制备方法，仅采用旋涂一次负胶，两次曝光，并经一次刻蚀即可完成台面刻蚀和深刻蚀，工艺简单，制作成本较低。

本发明授权一种LED芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，在所述衬底上形成外延叠层，所述外延叠层包括沿背离所述衬底的方向依次排布的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层； 在所述外延叠层背离所述衬底的表面旋涂负性光刻胶； 采用第一光刻版对所述负性光刻胶进行第一次曝光，所述第一光刻版遮挡所述外延叠层需形成隔离沟道的区域； 采用第二光刻版对所述负性光刻胶进行第二次曝光，所述第二光刻版遮挡所述外延叠层需形成隔离沟道和台面的区域； 对经两次曝光后的负性光刻胶进行显影形成光刻胶图形； 以具有光刻胶图形的负性光刻胶为掩膜，对所述外延叠层进行刻蚀，形成所述隔离沟道，所述隔离沟道贯穿所述外延叠层，直至所述衬底表面，以将所述外延叠层分隔为多个子外延叠层，并在所述子外延叠层中形成所述台面，所述台面裸露部分所述第一型半导体层，一个所述子外延叠层对应一个所述LED芯片； 该方法还包括： 去除所述负性光刻胶，在所述子外延叠层中第二型半导体层背离所述衬底的表面上形成复合透明导电层； 所述复合透明导电层的形成过程包括： 在所述子外延叠层中第二型半导体层背离所述衬底的表面上形成ITO层； 在所述ITO层背离所述衬底的表面形成纳米气敏吸附层，所述纳米气敏吸附层具有多孔结构，所述ITO层和所述纳米气敏吸附层组成所述复合透明导电层； 在O2氛围中进行快速高温退火，使所述纳米气敏吸附层吸附氧离子，提高所述ITO层背离所述衬底的表层的氧离子浓度，从而提高所述ITO层的功函数，使所述ITO层和所述第二型半导体层形成欧姆接触。

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