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龙图腾网恭喜圆融光电科技股份有限公司申请的专利发光二极管制造方法及发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528148B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211190424.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权发光二极管制造方法及发光二极管是由杨天鹏;焦建军;康建;陈向东设计研发完成，并于2022-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管制造方法及发光二极管在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光二极管制造方法及发光二极管，发光二极管制造方法，包括提供衬底；在衬底上依次生长缓冲层、至少一层三维结构层、至少一层二维结构层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层；其中，三维结构层的第一生长条件为：转速500‑1300转分、温度1000‑1200℃、压力300‑600托；二维结构层的第一生长条件为：转速500‑1300转分、温度1000‑1200℃、压力10‑300托；三维结构层的第二生长条件为：转速40‑100转分、温度1000‑1200℃、压力100‑500托；二维结构层的第二生长条件为：转速40‑100转分、温度1000‑1200℃、压力10‑100托。本申请有利于降低外延结构层的翘曲度，有利于提升发光二极管波长的均匀性。

本发明授权发光二极管制造方法及发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上生长缓冲层； 在所述缓冲层上交替生长至少一层三维结构层和至少一层二维结构层； 在最上层的所述二维结构层上生长N型掺杂层； 在所述N型掺杂层上生长量子阱发光层； 在所述量子阱发光层上生长P型掺杂层； 其中，所述三维结构层和二维结构层可在第一生长条件或第二生长条件下生长； 所述三维结构层的第一生长条件为：转速500-1300转分、温度1000-1200℃、压力300-600托；所述二维结构层的第一生长条件为：转速500-1300转分、温度1000-1200℃、压力10-300托； 所述三维结构层的第二生长条件为：转速40-100转分、温度1000-1200℃、压力100-500托；所述二维结构层的第二生长条件为：转速40-100转分、温度1000-1200℃、压力10-100托。

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