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龙图腾网恭喜拓荆科技股份有限公司申请的专利吸附力检测装置、方法、存储介质及半导体加工装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115479708B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211200813.6，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权吸附力检测装置、方法、存储介质及半导体加工装置是由陈星棋;孙晓波设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本吸附力检测装置、方法、存储介质及半导体加工装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆吸附力的检测装置、一种晶圆吸附力的检测方法以及一种半导体器件的加工装置。所述晶圆吸附力的检测装置包括：激光发射器，设于工艺腔室的第一侧壁的预设高度，并朝向待测晶圆被顶起的抬升路径，其中，所述预设高度是根据所述待测晶圆被顶出至脱离状态的脱离高度来确定；激光传感器，设于所述工艺腔室的第二侧壁的所述预设高度，并朝向所述激光发射器，以获取所述激光发射器发射的穿过所述抬升路径的激光；以及处理器，通信连接所述激光传感器，并被配置为：确定获取的激光随时间的波形；以及解析所述波形，以确定所述待测晶圆受到的吸附力。

本发明授权吸附力检测装置、方法、存储介质及半导体加工装置在权利要求书中公布了：1.一种晶圆吸附力的检测装置，其特征在于，包括： 激光发射器，设于工艺腔室的第一侧壁的预设高度，并朝向被静电吸附盘吸附的待测晶圆被至少一个顶针顶起的抬升路径，其中，所述顶针被设于所述静电吸附盘，用于顶起所述晶圆，所述预设高度高于所述晶圆的承接表面，并低于所述待测晶圆被顶出至脱离状态的脱离高度； 激光传感器，设于所述工艺腔室的第二侧壁的所述预设高度，并朝向所述激光发射器，以获取所述激光发射器发射的穿过所述抬升路径的激光；以及 处理器，通信连接所述激光传感器，并被配置为： 确定获取的激光随时间的波形；以及 解析所述波形，以确定所述待测晶圆受到的吸附力，其中， 根据下降且不再回升的激光波形，确定所述待测晶圆受到的吸附力大于所述顶针提供的抬升力；和或 根据下降且平稳回升的激光波形，确定所述待测晶圆受到的吸附力为零；和或 根据下降且抖动回升的激光波形，确定所述待测晶圆受到的吸附力不为零且小于所述顶针提供的抬升力。

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