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龙图腾网恭喜广东工业大学申请的专利一种基于非厄米诱导拓扑角态的二维声子晶体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115798445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211461530.7，技术领域涉及：G10K11/172；该发明授权一种基于非厄米诱导拓扑角态的二维声子晶体结构是由张欣;孙玮英;吴福根;罗丽;黄颖怡;彭洁彬;姚源卫;高敬祥;唐星城设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于非厄米诱导拓扑角态的二维声子晶体结构在说明书摘要公布了：本发明提出一种基于非厄米诱导拓扑角态的二维声子晶体结构，涉及声子晶体设计的技术领域，由成行成列布置的长方体状声学谐振腔组成，每两个声学谐振腔之间由上、下两根耦合管连接，且在二维声子晶体结构不同格点处分别引入仅具有背景损耗的虚的在位能γ1和具有额外损耗的虚的在位能γ2，通过逐渐增加虚在位能γ2的额外损耗量，二维声子晶体的色散关系逐渐由闭合到打开，在带隙内出现高阶拓扑角态，非厄米诱导高阶拓扑相的出现，为声学器件中的无损传输打下基础。

本发明授权一种基于非厄米诱导拓扑角态的二维声子晶体结构在权利要求书中公布了：1.一种基于非厄米诱导拓扑角态的二维声子晶体结构，其特征在于，所述二维声子晶体结构由成行成列布置的长方体状声学谐振腔组成，每行或每列均包括四个声学谐振腔，每两个声学谐振腔之间由上、下两根耦合管连接；位于声子晶体结构最外层的行或列中的声学谐振腔包括两个仅有背景损耗的虚的在位能为γ1的第一声学谐振腔和两个具有额外损耗的虚的在位能为γ2的第二声学谐振腔，声子晶体结构最外层的行或列中的声学谐振腔的布置顺序依次为：第一声学谐振腔、第二声学谐振腔、第二声学谐振腔、第一声学谐振腔；位于声子晶体结构最外层的行或列以内的声学谐振腔为四个仅有背景损耗的虚的在位能为γ1的第一声学谐振腔； 当γ1＝γ2≠0时，二维声子晶体的色散关系是闭合的； 当γ1≠γ2≠0时，随着加入的额外损耗γ2的逐渐增大，二维声子晶体的色散关系由闭合到逐渐打开； 随着加入的额外损耗γ2的增加，能带带隙被打开，且带隙内出现拓扑相，包括体态、边界态及角态；虚的在位能γ1、γ2的引入，且γ1≠γ2≠0的情况下，二维声子晶体的能带带隙打开，形成一个四极矩拓扑绝缘体。

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