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龙图腾网恭喜浙江大学杭州国际科创中心申请的专利半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288253B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310150187.2，技术领域涉及：C23C16/44；该发明授权半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备是由韦丽明;盛况;任娜;徐弘毅设计研发完成，并于2023-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备在说明书摘要公布了：上述半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备，基于预设厚度确定参考半导体薄膜的第一加工模型；其中，所述参考半导体薄膜的衬底片为硅片；基于所述预设厚度以及目标半导体薄膜的第一预设衬底片数确定所述目标半导体薄膜的第二加工模型；其中，所述目标半导体薄膜的衬底片为碳化硅片；基于所述第一加工模型以及第二加工模型确定目标加工模型；控制化学气相沉积工艺设备基于所述目标加工模型对所述目标半导体薄膜进行加工。上述方法，基于第一加工模型和第二加工模型的关系，获取目标加工模型，以准确度高的第一加工模型为基准，获取的目标加工模型能提升以碳化硅为衬底片的半导体薄膜加工的准确度并且缩短设备调试时间，节省调试成本。

本发明授权半导体薄膜的加工方法、装置、系统和计算机设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体薄膜的加工方法，其特征在于，包括： 基于预设厚度确定参考半导体薄膜的第一加工模型； 其中，所述参考半导体薄膜的衬底片为硅片； 基于所述预设厚度以及目标半导体薄膜的第一预设衬底片数确定所述目标半导体薄膜的第二加工模型； 其中，所述目标半导体薄膜的衬底片为碳化硅片； 基于所述第一加工模型以及第二加工模型确定目标加工模型； 控制化学气相沉积工艺设备基于所述目标加工模型对所述目标半导体薄膜进行加工； 所述基于预设厚度确定参考半导体薄膜的第一加工模型包括：控制化学气相沉积工艺设备基于预设厚度对参考半导体薄膜进行加工；获取所述参考半导体薄膜的薄膜折射率和薄膜膜厚；基于所述参考半导体薄膜的薄膜折射率和薄膜膜厚，确定所述参考半导体薄膜的第一加工模型； 所述基于所述预设厚度以及目标半导体薄膜的第一预设衬底片数确定所述目标半导体薄膜的第二加工模型包括：控制化学气相沉积工艺设备基于预设厚度和第一预设衬底片数对目标半导体薄膜进行加工；获取所述目标半导体薄膜的薄膜折射率和薄膜膜厚；基于所述目标半导体薄膜的薄膜折射率和薄膜膜厚，确定所述目标半导体薄膜的第二加工模型； 所述第一加工模型、第二加工模型以及目标加工模型，能够被半导体薄膜加工工艺设备识别并且进行运行。

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