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龙图腾网恭喜象帝先计算技术(重庆)有限公司申请的专利芯片制造工艺的改良方法、芯片、电子装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117219540B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311062055.0，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权芯片制造工艺的改良方法、芯片、电子装置和电子设备是由钱虓;樊强设计研发完成，并于2023-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片制造工艺的改良方法、芯片、电子装置和电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种芯片制造工艺的改良方法、芯片、电子装置和电子设备。改良方法包括：基于芯片良率测试的测试结果分析得到芯片的各个电路模块对应的工艺条件；工艺条件包括每个电路模块的各工序的最佳工艺参数；在每个电路模块执行各工序时，根据对应的最佳工艺参数对每个电路模块进行制造；基于制造完成后的各电路模块生成芯片。在制造各电路模块的过程中，基于芯片良率测试的测试结果确定每个电路模块的每道工序的最佳工艺参数，可以针对不同电路模块的每道工序作出适应性的工艺参数调节，进而实现对芯片制造的各环节进行分模块和工序的拆解及改良，以此达到提升芯片性能和产品良率的目的。

本发明授权芯片制造工艺的改良方法、芯片、电子装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片制造工艺的改良方法，其特征在于，包括： 基于芯片良率测试的测试结果分析得到芯片的各个电路模块对应的工艺条件；所述工艺条件包括每个电路模块的各工序的最佳工艺参数；所述测试结果包括各个电路模块可承受的电压要求、密度、器件打开速度、漏电电流大小及驱动电流电压大小；所述各个电路模块包括存储模块、振荡电路模块和IO驱动模块，所述工序包括势阱离子注入工序、栅氧制备工序、轻掺杂漏工序、栅极尺寸工序、SD离子注入工序和金属硅化工序下； 在所述电路模块执行目标工序前，根据各电路模块的目标工艺参数进行光罩区域的调整，得到调整后的光罩区域；所述目标工序为所述电路模块将执行的下一工序，所述目标工艺参数为所述目标工序对应的最佳工艺参数； 在每个电路模块执行各工序时，根据对应的最佳工艺参数对所述每个电路模块进行制造； 所述在每个电路模块执行各工序时，根据对应的最佳工艺参数对所述每个电路模块进行制造的步骤包括： 所述存储模块、振荡电路模块和IO驱动模块在势阱离子注入工序、栅氧制备工序、轻掺杂漏工序、栅极尺寸工序、SD离子注入工序和金属硅化工序下，基于不同工序下的最佳工艺参数分别进行制造； 基于制造完成后的各电路模块生成所述芯片。

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